韓國MOIP發布《半導體領域專利審查實務指南》 

強化半導體專利審查可預測性，助企業及早取得高品質專利

韓國智慧財產處（Ministry of Intellectual Property, MOIP）於2026年3月9日正式發布《半導體領域專利審查實務指南》（下稱本指南）。此舉旨在因應全球半導體技術霸權競爭日趨激烈、技術快速演進的環境，提升半導體領域專利審查的可預測性，並協助韓國本土企業（尤其是中小企業與無晶圓廠IC設計公司）及早取得高品質專利。

本指南是MOIP《技術領域別審查實務指南》（2026.03版）的重要組成部分，特別針對半導體領域制定專屬審查基準，已上載至MOIP官網（www.moip.go.kr）供公眾免費下載參考。

 產業背景與制定緣由

半導體產業正朝向微縮化、積體化與高速化方向發展，關鍵技術涵蓋極紫外光（EUV）微影製程、非晶碳硬遮罩、高頻寬記憶體（HBM），以及次世代人工智慧半導體（NPU、PIM）等。產業界先前反映，現行審查標準在「進步性」判斷上可預測性不足，難以充分反映半導體技術的特殊性。因此，MOIP深入分析大量實際審查案例，將常見爭議點依據專利要件與法律條文分類，制定本指南，以提供申請人更明確、具體的判斷標準。

MOIP半導體審查推進團團長金熙泰（Kim Hee-tae）表示：「本指南將大幅提升審查一致性，協助半導體企業取得高價值專利權。我們特別期待它成為缺乏專利資源的Fabless公司及半導體設備、材料、零組件中小企業撰寫高品質說明書的實務參考。」

 指南核心內容重點

本指南以實際案例為基礎，聚焦三大核心專利要件，提供具體判斷方法與示例：

1. 發明說明書揭露要件（可據以實施性） 

   明確說明如何判斷「熟習該項技術者能否僅依說明書內容在半導體技術層面實施發明」。若僅憑說明書無法實現（即使參酌相關半導體文獻），則不符合要件。

2. 申請專利範圍明確性要件 

   提供判斷權利要求是否記載不明確的具體方法，例如技術用語模糊、範圍界定不清等情形的處理原則。

3. 專利要件審查基準（特別是進步性） 

   釐清先前技術若僅揭示上位概念、未具體揭露請求項之組成與效果時，不應輕易否定進步性，以保障真正創新價值。 

   此外，針對半導體領域常見的「製程限定產品（Product by Process, PBP）」申請案，指南亦提供明確判定標準：若最終產品組成與先前技術相同，僅以製造方法限定，則可能被認定欠缺新穎性。

這些基準大幅降低審查結果的不確定性，有助申請人提前評估專利獲准機率，並優化權利範圍與說明書撰寫策略。

 對申請人的實務影響

未來在韓國申請半導體相關專利時，申請人（無論韓國企業或外國申請人）在權利要求撰寫與說明書揭露上，需更嚴格符合本指南所揭示的審查基準。特別是：

- 說明書必須充分揭露技術細節，使熟習該項技術者無需過度實驗即可實施；

- 權利要求應避免模糊用語，清楚界定技術特徵；

- 進步性論述需強調具體技術效果與先前技術的差異，而非僅依賴上位概念。

MOIP已於2026年4月針對半導體智財協議會（Semiconductor IP Council）舉辦專場說明會，進一步推廣指南內容，深化產學研界理解。

 《半導體領域專利審查實務指南》的發布，標誌韓國在半導體專利布局上邁向更精準、更可預測的審查時代。對於積極布局半導體專利的企業而言，及早研讀指南、調整申請策略，將是取得高品質專利、強化競爭優勢的關鍵。

本消息截至2026年5月仍為最新官方資訊，尚未有後續修訂版本發布。如需進一步分析指南對特定技術（如EUV、HBM或AI半導體）的適用案例，歡迎聯繫本單位或參考MOIP官方說明會資料。

（資料來源：MOIP官方新聞稿、韓國智慧財產處網站及相關國際智財報導，2026年3月發布，5月持續引用）